Fake набор максимальный объем: сборка ручек в Дзержинске (вакансия №1627085105)

Глоссарий терминов, имеющих отношение к компьютерной памяти

Введение

Данный глоссарий представляет собой набор терминов и сокращений, имеющих отношение к компьютерной памяти (с упором на DRAM как оперативную память). Все термины даны так, как они пришли к нам — а именно по-английски. Такая форма представляется правильной, ибо большинство русских терминов являются кальками с английского или вообще не имеют перевода. Кроме того, компетентные статьи на русском языке чаще всего используют английскую терминологию. Не исключено, что в будущем к глоссарию добавится небольшая «таблица соответствия» русских и английских терминов.

Глоссарий не претендует на абсолютную техническую достоверность и полноту. Предполагается, что информация дана в объеме, требуемом пользователю, нуждающемуся в понимании технического текста по данной проблеме или в общем повышении уровня знаний. Приведены также основные сведения о производстве и продаже модулей памяти. Более подробная информация может содержаться в других документах принадлежащего автору сайта, а также на сайтах производителей.

Названия статей выделены жирным, после аббревиатуры в скобках дается ее дешифровка. Далее (если есть) в кавычках курсивом дается «русская версия» (в варианте, либо наиболее распространенном, либо привычном автору). Если термин может иметь несколько различных значений, после части статьи, общей для всех значений, идет нумерованный список. Знаком равенства обозначается синонимичный (для данного значения) термин, английский или русский. Знаком *** выделены небольшие дополнительные статьи по терминам, окруженным наибольшим количеством легенд. В тексте статей даны гиперссылки на статьи по родственным терминам, которые могут быть необходимы для понимания. Ссылки даются в основном на русские термины, в то время как названия статей английские — это может причинить определенные неудобства, но лучшей идеи пока нет. Навигация может также осуществляться с помощью алфавитного указателя в начале документа.

Настоящий документ основан на опыте работы автора в данной области и представляет собой его личное мнение. Автор не несет ответственности за последствия, вызванные применением информации, содержащейся в данном документе. При обнаружении в тексте ошибок и неточностей просьба связаться с автором по адресу [email protected].

A

access cycle — цикл обращения — последовательность (иногда ее длительность) операций устройства памяти между двумя последовательными актами чтения либо записи. Включает в себя, в частности, все операции, связанные с указанием адреса информации.

access time — время доступа (иногда ошибочно именуется скоростью) — время, необходимое на полный цикл обращения к информации, хранящейся по случайному адресу в чипе или модуле. Нужно иметь в виду, что в реальных условиях обращение чаще всего происходит не по случайному адресу, что позволяет использовать сокращенный цикл.

address depth — глубина адресного пространства — количество бит, которые могут быть сохранены на каждой линии ввода/вывода чипа или модуля.

address line — адресная линия — одна из линий, используемых для указания адреса запрашиваемой или сохраняемой информации. Поскольку информация организована в виде матрицы, адресные линии за полный цикл доступа используются дважды — для указания номера строки (RAS) и столбца (CAS). Поэтому число необходимых адресных линий равно 1/2log₂A, где A — размер адресного пространства (например, 10 для 1 мегабит), при условии, что матрица квадратная, что не всегда верно.

AGP (Accelerated Graphic Port)- технология, позволяющая графическому процессору получить доступ к оперативной памяти, минуя основной процессор. В отличие от unified memory у видеоподсистем с AGP в качестве буфера кадров по-прежнему используется высокоскоростная видеопамять.

architecture — архитектура — совокупность характеристик модуля памяти (включая тип памяти, емкость, время доступа, электрическую и логическую схему, разводку контактов и форм-фактор), полностью этот модуль определяющих. Теоретически два модуля одинаковой архитектуры должны быть полностью взаимозаменяемыми. Иногда под архитектурой понимают организацию модуля, что не совсем корректно (скажем, организация далеко не всегда однозначно определяет тип модуля).

asynchronous — асинхронный. Термин применяется к устройствам памяти, цикл обращения к которым состоит из стадий, имеющих разную длительность, что не позволяет оптимизировать совместную работу подсистемы памяти и процессора. В настоящее время происходит вытеснение асинхронных устройств синхронными.

audio RAM — термин, иногда применяемый в индустрии для партий микросхем, имеющих серьезные производственные дефекты (например, не работает одна из линий ввода-вывода). Нередко такие микросхемы реализуются по низким ценам для применения в устройствах бытовой электроники, в частности, в качестве буферов в проигрывателях компакт-дисков (отсюда название). К сожалению, имеются прецеденты изготовления модулей памяти на основе таких микросхем. Косвенные признаки таких модулей — отсутствие маркировки либо явная перемаркировка чипов, а также их необычное число.

B

bandwidth — пропускная способность, т.е. объем информации, который может пройти через систему в единицу времени. Применительно к подсистеме памяти — произведение пропускной способности линии ввода-вывода на ширину шины. Поскольку изменение последней в рамках принятой архитектуры «поколения» компьютеров невозможно, большинство новых технологий памяти имеют целью увеличение первой, которая фактически обратна времени доступа (с учетом сокращенного цикла).

bank — банк

1. = slot
2. Группа модулей памяти одинаковой емкости, которые должны быть установлены одновременно, чтобы система могла работать. Количество модулей равняется отношению ширины системной шины к ширине шины модуля (умноженному на коэффициент interleave). Некоторые компьютеры способны работать с неполным банком памяти, но ценой значительного падения быстродействия.
3. Логическая единица внутри модуля памяти, см. dual-bank. Поскольку адресное пространство организовано в виде квадратной (как правило) матрицы, увеличения чила адресных линий на 1 (т.е. максимально возможного адреса — вдвое) приводит к 4-кратному увеличению адресного пространства (поэтому емкость 30-контактных SIMM росла с инкрементом 4). Для 72-контактных SIMM была введена возможность увеличения емкости модуля вдвое путем монтажа на одной плате двух комплектов чипов, причем обращение ко второму комплекту просиходит за счет дополнительных RAS. Это, в частности, 8 и 32 MB SIMM, которые в отличие от 4 и 16 MB называются «двухбанковыми»
4. Часть чипа SDRAM, доступ к которой возможен независимо от другой части. Эта возможность используется для interleave на уровне чипа.

BEDO (Burst EDO) — более быстрая (в тактах, а не наносекундах) разновидность EDO RAM. О поддержке этого стандарта производители чипсетов заявляли уже давно, однако BEDO RAM так и не появилась на рынке, и, судя по всему, уже никогда не появится, проиграв более быстрой SDRAM.

bit — бит. Мельчайшая единица хранения и передачи информации, соответствует логическому устройству, имеющему только два возможных состояния — 0 или 1. Обозначается строчной буквой b.

brand-name

1. для чипов и/или модулей = major или major/major
2. для модулей — подразумевает то, что модуль сделан известным (соблюдающим стандарты и высокое качество) производителем и имеет его маркировку. Единого мнения о том, каких производителей считать известными, не существует.
3. для систем — тот факт, что система произведена крупным производителем компьютерной техники, который специально продает модули расширения памяти со своей маркировкой и рекомендует использовать именно их. Можно применить термин и к самим модулям, однако как правило они представляют собой совершенно стандартные (или, изредка, произведенные по субконтракту) устройства с дополнительной маркировкой (чаще всего при этом являясь brand-name в определениях 1 или 2).

buffered — буферизованный (модуль). Из-за высокой совокупной электрической емкости современных модулей памяти большой собственно емкости время их «зарядки» становится недопустимо большим, что приводит к потере тактов. Чтобы избежать этого, некоторые модули (как правило, 168-контактные DIMM) снабжаются специальной микросхемой (буфером), которая сохраняет поступившие данные относительно быстро, что освобождает контроллер. Буферизованные DIMM, как правило, несовместимы с небуферизованными, поэтому эти два типа DIMM имеют разное положение одного из ключей.

burst mode — пакетный режим, в отличие от обычного режима, при котором запрос по адресу возвращает только данные по этому адресу, в этом режиме такой запрос возвращает пакет данных по этому и последующим адресам.

bus — шина. Совокупность линий ввода-вывода, по которым информация передается одновременно. Ширина и частота шины естественным образом влияет на пропускную способность. Под главной, или системной шиной понимается шина между процессором и подсистемой памяти.

bus frequency — частота шины. Как правило, термин применяется к главной шине компьютера, т.е. той, на частоте которой работает память. Для современных процессоров и чипсетов Intel пока официально не превышает 66MHz, однако ожидается увеличение. Иногда называется внешней частотой.

bus width — ширина шины — количество линий ввода-вывода, т.е. число бит, которое может быть передано одновременно (для устройств с контролем четности из этого количества иногда исключают линии, «отвечающие» за четность, как не передающие информации). Для системной шины определяется в первую очередь типом процессора. Увеличение ширины системной шины — простой способ увеличить общую производительность системы, однако это требует коренной перестройки программного обеспечения и периферии. Все процессоры, начиная с Pentium, имеют ширину шины 64 бит. Размер одного банка памяти кратен (как правило, равняется) ширине системной шины.

byte — байт — единица информации, состоящая из 8 бит, широко используется для практического измерения объемов данных (например, размера файла, а также, что важно для нас, объема оперативной памяти). Обозначается заглавной буквой B.

C

cache — кэш

1. Буфер обмена между медленным устройством хранения данных и более быстрым. Принцип его действия основан на том, что простой более быстрого устройства сильно влияет на суммарную производительность, а также — что с наибольшей вероятностью запрашиваются данные, сохраненные сравнительно недавно. Поэтому между устройствами помещают небольшой (по сравнению со всеми хранимыми данными) буфер быстрой памяти, что позволяет снизить потери быстрого устройства как на записи, так и на чтении.
2. = L2 cache

capacity — емкость

1. Электрическая емкость устройства DRAM (влияет на быстродействие и энергопотребление).
2. Емкость модуля памяти в MB (в отличие от плотности чипа).

CAS (Column Access Strobe) — регистр обращения к столбцу. Сигнал, поданный на линию CAS чипа, означает, что через адресные линии вводится адрес столбца.

checksum — контрольная сумма, применяется при контроле четности. Бит, представляющий собой сумму значений всех бит, входящих в контрольную сумму (как правило это 8 бит) с отбрасыванием старших разрядов.

chip — чип, микросхема.

chipset — чипсет, набор микросхем материнской платы, реализующих архитектуру компьютера. Как правило, контроллер памяти входит в состав чипсета, поэтому зная, какой именно чипсет применен в компьютере, можно сделать выводы о применяемой памяти.

clock

1. = timer — таймер, системные часы.
2. = clock cycle — такт, длительность одной операции синхронного (управляемого таймером) устройства.
3. = clock frequency — тактовая частота, величина, обратная длительности такта, измеряется в мегагерцах.
4. см. SDRAM clock

clock multiplying — умножение частоты — принцип, применяемый в компьютерах начиная с 486-го поколения для согласования растущей тактовой частоты процессора и остальной системы. В результате системная шина (а вместе с ней и подсистема памяти) работают на частоте, в фиксированное число раз меньшее, чем частота процессора. В то время, как процессоры Intel давно превысили частоту 200MHz, частота шины до недавнего времени не превышала 66MHz. Надо отметить, что реальное быстродействие системы зависит от обеих частот.

CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)

1. Широко распространенная технология полупроводникового производства, применяемая, в частности, при производстве DRAM.
2. Энергозависимая память, применяемая для хранения установок BIOS.

COASt (Cache On A Stick) — «стандартные» модули расширения кэша, некоторое время (одновременно с появлением EDO) применялись довольно широко. Поскольку EDO первоначально рассматривалась в качестве дешевой альтернативы кэшу, введение данного стандарта легко устанавливаемого (и наоборот) кэша должно было предоставить максимальную возможность выбора конфигурации. В действительности под этим названием существует немалое количество типов и стандартов кэша, совместимых между собой зачастую лишь по разъемам. Устанавливаются вертикально и ничем, кроме трения, не фиксируются.

composite — композитный (модуль). Модуль памяти, собранный из чипов с меньшей глубиной адресного пространства, чем у самого модуля. Как правило, это происходит на ранней стадии производства модулей памяти большой емкости, когда соответствующие чипы редки и дороги. Дополнительная адресная линия модуля при этом эмулируется с помощью линии RAS чипа. Естественно, такой метод не способствуют ни быстродействию, ни совместимости, поэтому применять композитные модули следует с осторожностью. Композитный модуль, как правило, имеет дополнительную микросхему для конверсии адресного бита в RAS и необычно большое количество чипов. Само по себе большое количество чипов не является критерием композитности, но надо иметь в виду, что оно увеличивает электрическую емкость и энергопотребление, что также не улучшает работу модуля.

CPU frequency — частота процессора — рабочая частота процессора, называемая иногда также «внутренней» частотой. Равняется произведению частоты шины на фактор умножения частоты.

cycle organization — организация цикла — последовательность «элементарных» операций между двумя актами чтения/записи (как-то: зарядка RAS, ввод адреса строки, зарядка CAS, ввод адреса столбца, открытие линии данных и т.д.), а также допустимые «сокращенные» варианты такой последовательности (например, CAS-before-RAS). Типы памяти, такие, как fast page или EDO, различаются как раз допустимой сокращенной организацией цикла, поэтому иногда говорят о «цикле, организованном по типу fast page» и т. п.

cycle time — длительность цикла (имеется в виду цикл обращения к памяти). При использовании термина необходимо указание, о какой организации цикла идет речь. По умолчанию термин совпадает со временем доступа.

D

DDR (Double Data Rate) = SDRAM II

density — плотность — емкость чипа в мегабитах. Помимо единицы измерения, отличается от емкости модуля еще и тем, что имеет отдельное значение «уровня технологии», по которой изготовлен данный чип. В настоящее время технология 16Mb является «основной», 64Mb также постепенно перестает быть дорогой диковиной. Надо отметить, что в виде опытных образцов существуют микросхемы плотностью 1Gb.

double-side — двусторонний — термин, вообще говоря, не несущий особой смысловой нагрузки, т.к. в общем случае расположение чипов по одну или две стороны модуля памяти имеет отношение к дизайну или технологии производства, но не к архитектуре (хотя существует, конечно, ряд систем с таким расположением разъемов, которое позволяет устанавливать модули с чипами, расположенными только с одной стороны). Как правило, термин ошибочно применяется вместо двухбанковый (который и сам по себе окружен путаницей).

dual-bank — двухбанковый. Поскольку адресное пространство организовано в виде квадратной (как правило) матрицы, увеличение числа адресных линий на 1 (т.е. максимально возможного адреса — вдвое) приводит к 4-кратному увеличению адресного пространства (поэтому емкость 30-контактных SIMM росла с инкрементом 4). Для 72-контактных SIMM была введена возможность увеличения емкости модуля вдвое путем монтажа на одной плате двух комплектов чипов, причем обращение ко второму комплекту просиходит за счет дополнительных RAS. Это, в частности, 2, 8, 32 и 128MB SIMM, которые в отличие от 1, 4, 16 и 64MB называются двухбанковыми (иногда те же две группы модулей называют 2-х и 4-х банковыми соответственно, поскольку первая использует 2 RAS, а вторая — 4). Аналогично для 168-контактных DIMM, с той разницей, что для их производства часто используются чипы с «неквадратным» адресным пространством (организации типа 2х8), поэтому двухбанковые модули 64 и 256MB имеют также и однобанковый вариант. Некоторые контроллеры не могут работать с двухбанковыми модулями памяти (для 72-контактных SIMM это большая редкость, для 168-контактных DIMM — довольно часто).
***Иногда встречаются 8MB 72-контактные однобанковые SIMM (у этих модулей обращение ко «второму» банку происходит не через линию RAS, а через дополнительную адресную линию, т.е. с точки зрения контроллера это 16MB SIMM, у которого не работает «верхняя половина» всех страниц. Многие контроллеры отказываются работать с такими SIMM, особенно в комплекте с другими, «нормальными». В свое время произошел массовый выброс на рынок таких SIMM, что привело к распространению легенд о существовании «неправильных» одно- или двух-сторонних или -банковых SIMM безотносительно к их емкости. К сожалению, авторы многих мануалов к материнским платам разделяли это недоумение.

DIMM (Dual In-Line Memory Module) — наиболее современная разновидность форм-фактора модулей памяти. Отличается от SIMM тем, что контакты с двух сторон модуля независимы (dual), что позволяет увеличить соотношение ширины шины к геометрическим размерам модуля. Наиболее распространены 168-контактные DIMM (ширина шины 64 бит), устанавливаемые в разъем вертикально и фиксируемые защелками. В портативных устройствах широко применяются SO DIMM.

DIP (Dual In-line Package) — микросхемы с двумя рядами контактов, расположенными вдоль длинных сторон чипа и загнутых «вниз». Чрезвычайно распространенная упаковка во времена «до» модулей памяти.

DRAM (Dynamic RAM) — динамическая память — разновидность RAM, единичная ячейка которой представляет собой конденсатор с диодной конструкцией. Наличие или отсутствие заряда конденсатора соответствует единице или нулю. Основной вид, применяемый для оперативной памяти, видеопамяти, а также различных буферов и кэшей более медленных устройств. По сравнению со SRAM заметно более дешевая, хотя и более медленная по двум причинам — емкость заряжается не мгновенно, и, кроме того, имеет ток утечки, что делает необходимой периодическую подзарядку.

DRAM module — модуль памяти — устройство, представляющее собой печатную плату с контактами, на которой расположены чипы памяти (иногда заключенное в корпус), и представляющее собой единую логическую схему. Помимо чипов памяти может содержать и другие микросхемы, в том числе шунтирующие резисторы и конденсаторы, буферы, logic parity и т.п.

E

ECC (Error Checking and Correction) — выявление и исправление ошибок (возможны другие дешифровки того же смысла) — алгоритм, пришедший на смену «контролю четности». В отличие от последнего каждый бит входит более чем в одну контрольную сумму, что позволяет в случае возникновения ошибки в одном бите восстановить адрес ошибки и исправить ее. Как правило, ошибки в двух битах также детектируются, хотя и не исправляются. ECC поддерживают практически все современные серверы, а также некоторые чипсеты «общего назначения». Надо отметить, что ECC не является панацеей от дефективной памяти и применяется для исправления случайных ошибок.

ECC DIMM — для 168-контактных DIMM термин идентичен понятию «DIMM с четностью», т.е. 72-битный.

ECC-on-SIMM — SIMM с интегрированным контроллером ECC, применявшиеся в некоторых моделях серверов IBM, Digital и HP. Распространения не получили.

ECC SIMM — термин не корректен, поскольку может обозначать разные объекты, которые имеют между собой общего только то, что являются SIMM и предназначены к использованию в контроллерах, которые позволяют с их помощью реализовать ECC. В частности, помимо указанных ниже, под это определение подпадают некоторые SIMM, не удовлетворяющие JEDEC, в частности ECC-on-SIMM, а также стандартные SIMM с четностью, которые могут быть использованы для поддержки ECC в большинстве устройств сравнительно недавнего производства. Непосредственно ECC SIMM — это:

1. SIMM стандарта JEDEC x39 или x40 — 39- или 40-битные 72-контактные SIMM, применявшиеся в ранних реализациях ECC.
2. SIMM x36 (то есть 36-битные, как и «обычные» SIMM с четностью). Главное отличие — SIMM с четностью логически имеет жесткое соответствие одного бита четности каждым 8 бит «основной» памяти, выраженное в том, что эти 9 бит имеют одну общую линию CAS. Физически как правило на каждые 2 чипа «основной» памяти приходится 1 бит четности — всего 8+4=12 чипов для, например, 16MB. ECC SIMM состоит из 36 равнозначных бит, все на одной линии CAS. Физически это 9 идентичных чипов для тех же 16MB. Надо отметить, что SIMM с четностью как правило работают (и обеспечивают ECC) в системах, предназначенных для данного класса ECC SIMM, в то время как последние неспособны работать в системах с «обычной» четностью.

EDO (Extended Data Out) — разновидность асинхронной DRAM, очень широко применявшаяся в последние 2 года. Представляет собой дальнейшее развитие метода fast page по «конвейерной» схеме — линии ввода-вывода остаются какое-то время открытыми для чтения данных в процессе обращения к следующему адресу, что позволяет организовать цикл доступа более оптимально.

F

fast page — дословно быстрый страничный (режим). Очень старая схема оптимизации работы памяти, которая основана на предположении, что доступ, как правило, осуществляется по последовательным адресам. Позволяет наряду с обычным циклом (RAS, затем CAS), использовать сокращенный, при котором RAS фиксирован, и соответственно его зарядка не требует времени. На сегодняшний день fast page — наиболее медленная из реально применяемых организаций памяти, однако еще сравнительно недавно это был единственный выбор для систем с контролем четности.

flash — разновидность энергонезависимой памяти с низким (сопоставимым с DRAM) временем доступа по чтению и относительно высоким временем записи. Используется для компактных внешних запоминающих устройств, а также для хранения редко перезаписываемых программных компонент (например, BIOS или операционной системы некоторых узкофункциональных устройств). Существует, в частности, в виде форм-фактора SIMM.

FPM (Fast Page Mode) — см. fast page.

G

generic — термин, противоположный brand-name (в каждом из смыслов). В наиболее общем виде — нечто, лишенное признаков либо производства известным производителем, либо предназначения конкретно для системы известного же производителя. В последнем смысле близок понятию «стандартный».

Gigabit — гигабит, Gb — 1024 мегабит, т.е. 1,073,741,824 бит.

Gigabyte — гигабайт, GB — 1024 мегабайт, т.е. 1,073,741,824 байт.

gold lead — золоченые контакты — разновидность покрытия контактов модуля. В SIMM в настоящее время применяется редко, для DIMM — практически обязательно.

H

hyper page mode — то же, что EDO.

I

IC (Integral Circuit) — интегральная схема — более умное название для чипа.

interleave — чередование — способ ускорения работы подсистемы памяти, основанный, как и многие другие, на предположении, что доступ происходит к последовательным адресам. Реализуется аппаратно на уровне контроллера и требует организации банка памяти таким образом, что суммарная ширина шины модулей превосходит ширину системной шины в k=2ⁿ раз (это число называется коэффициентом interleave и иногда записывается в виде k:1). Таким образом, каждый банк состоит из k «нормальных» банков. Контроллер распределяет «нормальное» адресное пространство подсистемы так, что каждый из k последовательных адресов физически находится в разном банке. Обращение к банкам организовано со сдвигом по фазе (напомним, что отдельный цикл обращения может требовать 5 тактов шины и более). В результате при последовательном обращении к данным за один обычный цикл обращения можно получить до k обращений в режиме interleave. Реальный выигрыш, разумеется, меньше, кроме того, interleave заметно увеличивает минимальный размер банка (как в числе модулей, так и в емкости). В SDRAM interleave реализован на уровне чипа.

I/O line (Input/Output Line)- линия ввода-вывода — каждая из линий, в совокупности составляющих шину, и способных пропустить один бит «за раз».

J

JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council) — организация, разрабатывающая стандарты на электронные устройства, в том числе на модули памяти.

JEIDA (Japanese Electronics Industry Development Association) — как следует из названия, японская организация, имеющая отношение к разработке стандартов на электронное оборудование.

K

key — ключ — вырез в модуле памяти, который вместе с выступом в разъеме предотвращает неправильную установку модуля. 30- и 72-контактные SIMM имели вырез в углу со стороны 1-го контакта, последний, кроме этого — вырез посередине (интересно, что японские компьютеры имели более высокий выступ посредине разъема SIMM, соответственно, «чужие» SIMM туда не устанавливались, а в обратную сторону совместимость была). У 72-контактных SO DIMM высота выреза была использована для контроля рабочего напряжения (опять же, невозможно было установить модули с рабочим напряжением 5 вольт в разъемы с напряжением 3.3 вольт, но не наоборот). Для 168-контактных DIMM было применено другое решение — ключи (и соответствующие выступы) стали смещать вдоль, что сделало невозможным установку «неправильного» модуля памяти, хотя и заметно осложнило производство. Такие DIMM имеют 2 ключа, задающие напряжение питания и буферизованность.

kilobit — килобит, kb — 1024 бит. Надо отметить, что при подсчете объемов информации для введения высших разрядов вместо привычной тысячи используется 1024=2¹⁰, что иногда порождает путаницу.

kilobyte — килобайт, kB — 1024 байт.

L

L2 cache (Level 2 cache) — кэш 2-го уровня — кэш между процессором и подсистемой памяти. Работает, как правило, на частоте шины и смонтирован на материнской плате (хотя в старших процессорах Intel его начали устанавливать в одной микросборке или модуле с процессором, а также увеличили частоту). Для кэша 2-го уровня практически всегда используется SRAM. Характерные емкости — от 256kB до 1MB на процессор. Объем и быстродействие кэша 2-го уровня оказывают значительное воздействие на быстродействие системы в целом. Следует иметь в виду, что иногда установка в систему дополнительной памяти (как правило, свыше 64MB) может заметно замедлить ее работу, если контроллер не поддерживает кэширование этой памяти.

lead finish — покрытие контактов — термин, относящийся к модулям памяти. Контакты бывают «золоченые» (gold-lead) и «луженые» (tin-lead), причем на цене модуля материал покрытия никак не отражается. Производители компьютеров, как правило, рекомендуют уделять особое внимание соответствию материалов контактов модулей и разъемов, хотя, по мнению некоторых независимых источников, опасения по поводу гальванической коррозии, которую могут вызвать разные покрытия контактов, сильно преувеличены.

logic parity (bridge parity, fake parity, parity emulation etc) — ложная четность — техническое решение, позволяющее сэкономить на чипах четности, стоимость которых составляет заметную часть стоимости модуля памяти. Вместо чипов четности на модуль устанавливается логическая микросхема, которая при чтении данных вычисляет контрольную сумму и предъявляет ее контроллеру, как если бы она хранилась в модуле. Поскольку никакого контроля четности реально места не имеет, рекомендовать такие модули можно в единственном случае — если вы имеете материнскую плату, в которой невозможно отключить контроль четности, но не хотите за четность платить (скорее всего — это 486-я плата выпуска 1994 года и раньше). Следует также опасаться случаев, когда память с логической четностью выдается за память с четностью истинной — в частности, память вообще может не заработать в вашем компьютере (например, потому что он использует ECC, и вообще любые логические схемы понижают совместимость модуля), да и бескорыстным этот обман вряд ли будет, наконец, в самом лучшем случае вы будете пребывать в ложной уверенности, что ваша система выполняет контроль четности, когда это не так. Ложную четность иногда можно отличить, учитывая, что «логический» чип часто выпускается в упаковке TQFP. Косвенным признаком для 72-контактных SIMM также является наличие лишь одного чипа четности (двух для двухбанковых SIMM), хотя это может быть и Quad-CAS. Надо остерегаться и чипов с необычной (для микросхем памяти) маркировкой, хотя в наиболее неприятных случаях маркировка может быть подделана.

long DIMM — длинный DIMM — термин, как правило обозначающий 168-контактный DIMM, в более общем случае — противоположный SO DIMM.

low grade — низкосортный — термин применяется к чипам, не выдержавшим тестов на соответствие стандартам. В отличие от audio RAM, как правило, они не имеют «объемных» дефектов, но демонстрируют ухудшение характеристик (например, времени доступа) при допустимых стандартами отклонениях внешних параметров (температуры, напряжения питания). Как правило, «низкосортные» чипы продаются производителями со специальной маркировкой или в виде кремниевых пластин и предназначены изначально для некомпьютерного применения. Тем не менее, к сожалению, на рынок часто попадают модули памяти, изготовленные из таких чипов, что приводит к нестабильной работе компьютеров, в которые они установлены.

low profile — низкий (модуль) — модули памяти относительно низкой (по сравнению с допускаемой стандартами) высоты. В некоторые материнские платы (особенно если разъемы расширения памяти находятся на дополнительных картах) могут быть установлены только такие модули.

M

main memory = system memory

major — принятое в индустрии название 10-20 крупнейших производителей чипов DRAM, а также выпущенных ими чипов. Модули, произведенные этими производителями из собственных чипов и имеющие их маркировку, носят название major/major и считаются эталонными по качеству.

MDRAM (Multibank DRAM) — многобанковая DRAM — разновидность DRAM с interleave, организованным на уровне чипа, применяется преимущественно в графических подсистемах.

Megabit — мегабит, Mb — 1024 килобит, т.е. 1,048,576 бит.

Megabyte — мегабайт, MB — 1024 килобайт, т.е. 1,048,576 байт.

Megahertz — мегагерц, MHz — 10⁶ герц, т.е. операций в секунду. Единица измерения частоты, характерная для современных компьютеров, таймеры различных подсистем которых имеют частоты от нескольких мегагерц (шина ISA) до нескольких сотен мегагерц (процессоры). Системные шины имеют частоту от нескольких десятков до 100 мегагерц, до недавнего времени максимальная официальная частота для чипсетов Intel составляла 66 мегагерц.

memory — память

1. = запоминающее устройство (ЗУ) — вообще говоря, любое устройство, предназначенное для записи (по крайней мере один раз), хранения и считывания информации. В этом смысле термин в основном употребляли в эпоху нестандартных решений. Сейчас его можно встретить в сочетании ROM, а также flash memory.
2. = RAM
3. = system memory

memory card

1. Часто применяемое (особенно в портативных компьютерах) решение для нестандартного модуля памяти. Внешне очень напоминает карту PCMCIA, однако предназначена к установке в специальный разъем. Насколько можно судить, единый стандарт отсутствует, соответственно, совместимость наблюдается максимум в близких семействах моделей одного производителя.
2. Иногда так называются применяемые в некоторых компьютерах (особенно серверного класса и поддерживающих interleave) «карты расширения памяти», устанавливаемые в материнскую плату и несущие на себе разъемы для модулей.

memory controller — контроллер памяти — промежуточное устройство между системной шиной и модулями памяти. Контроллер определяет возможные тип и рабочий режим используемой памяти (в стандартных решениях зачастую и форм-фактор), организует interleave, контроль четности или ECC и т.п. Иногда имеется возможность настройки ряда параметров из BIOS Setup, в других случаях определение типа памяти и режима работы происходит автоматически. В настоящее время, как правило, контроллер памяти является частью чипсета, поэтому пара чипсет-BIOS нередко однозначно определяет возможности контроллера (хотя иногда, особенно в материнских платах высшего уровня, применяется специфический контроллер).

memory subsystem — подсистема памяти — понимаемая как единое целое (обычно с целью обсуждения, например, вопросов быстродействия) совокупность системной шины, контроллера памяти и модулей. В зависимости от постановки вопроса может включать либо не включать кэш 2-го уровня.

N

nanosecond — наносекунда, ns — 10^-9 сек. Характерное время цикла или такта для современных компьютеров — от единиц до сотен наносекунд, что соответствует частотам от сотен до единиц мегагерц. Используется для измерения времени доступа.

no-name — безымянный — чипы либо модули памяти, не имеющих маркировки (известного) производителя. Очень широко (особенно модули) представлены на рынке. Явным недостатком «безымянной» памяти является то, что никто, вообще говоря, не гарантирует ее качества (производителям качественной памяти нет ни малейшего резона скрывать свое имя).

non-volatile — энергонезависимая (память) — устройство памяти, сохраняющее информацию при выключенном питании, например, flash и различные виды EPROM.

O

operation mode — рабочий режим — организация цикла, при которой данная память работает (или способна работать), т.е. например fast page или EDO.

organization — организация — информация об устройстве чипа/модуля памяти, записываемая в виде произведения глубины адресного пространства на количество линий ввода/вывода. Кстати, для чипа это произведение дает его плотность, для модуля (если отбросить линии контроля четности и разделить результат на 8) — емкость. Организация не является исчерпывающим описанием логической схемы (см. для чипов например Quad-CAS или refresh).

P

package — упаковка — тип корпуса и расположения контактов чипа (например, SOJ, TSOP и т.п.).

page — страница. Довольно условный термин, чаще всего под страницей понимается набор доступных адресов при фиксированном адресе строки, иными словами, размер страницы равен числу столбцов. Надо учитывать, что строка, как правило, длинее из соображений refresh.

parity — четность, также контроль четности. Довольно старый принцип проверки целостности данных, передаваемых по любой шине (в том числе сохраняемых в памяти). Суть метода в том, что для некоторого количества (как правило, 8) бит данных на стадии записи вычисляется контрольная сумма, которая сохраняется как специальный бит четности. При чтении данных контрольная сумма вычисляется снова и сравнивается с битом четности. Если они совпали, данные считаются аутентичными, в противном случае генерируется сообщение об ошибке четности (как правило, приводящее к остановке системы). Метод активно применялся в прошлом, когда подсистема памяти являлась одной из самых ненадежных в компьютере. К явным недостаткам метода относятся дороговизна памяти, требующейся для хранения лишних бит четности, незащищенность от двойных ошибок (а также ложное срабатывание при ошибке в бите четности), остановка системы даже при непринципиальной ошибке (скажем, в видеокадре). В настоящее время, учитывая возросшее качество памяти и низкую вероятность ошибок, применяется все реже — в системах низкого уровня используется более дешевая память без контроля четности, в системах высокого — более результативная схема ECC.

parity bit — бит четности — дополнительный бит для контрольной суммы, а также линия ввода/вывода для его передачи.

parity chip — чип четности — чип, предназначенный для хранения бита четности в соответствующем SIMM, как правило однобитный (организации х1), хотя встречаются чипы типа Quad-CAS, объединяющие несколько независимых однобитных чипов в одной упаковке.

parity SIMM — SIMM с четностью. Для 30-контактного SIMM — с организацией x9, т.е. 8 основных бит плюс бит четности. Для 72-контактного SIMM, как правило, имеется в виду SIMM организации x36, причем на каждом из 4-х CAS находится 8 основных бит плюс бит четности. Такая организация отличает его от ECC SIMM x36. Никакого принципиального значения это разделение на группы по 9 бит не имеет, поскольку в подавляющем большинстве случаев доступ по отдельному CAS невозможен. Скорее всего, этот принцип идет от тех времен, когда 72-контактные SIMM только приходили на смену 30-контактным, чтобы сымитировать 4 30-контактных модуля и облегчить переход без значительной переработки контроллера. В принципе, под определение подпадают и довольно редкие модули x18 и x33.

PCB (Printed Circuit Board) — печатная плата. Качество дизайна и изготовления печатной платы может сильно повлиять на качество модуля памяти. В частности, считается, что предназначенная для модулей памяти печатная плата должна состоять как минимум из 4 слоев (для предотвращения «наводок»).

PC Card — более современное, хотя так окончательно и не прижившееся, название для стандарта PCMCIA. Не путать с memory card.

PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association) — в противовес своему названию имеет мало отношения к памяти как таковой. Стандарт шины и разъема расширения для подключения внешних устройств (в том числе хранения информации, но отнюдь не оперативной памяти) к портативным компьютерам. Не путать с memory card.

pinout — разводка — соответствие между контактами чипа или модуля и его логической схемой. Внешне совершенно стандартный модуль может по той или иной причине иметь необычную разводку (и, следовательно, архитектуру).

pin — контакт, для пайки или установки в разъем, не обязательно в виде проволочки.

pipeline — конвейер — метод доступа к данным, при котором можно продолжать чтение по предыдущему адресу в процессе запроса по следующему.

POST (Power-On Self Test) — процесс определения системой своей конфигурации при загрузке (тестом фактически не является). В принципе, память с серьезными дефектами не будет распознана как таковая уже на этой стадии. Следует иметь в виду, что на результат POST могут повлиять установки BIOS Setup.

PRD (Presence Detect) — информация о типе, емкости и времени доступа модуля памяти, закодированная с помощью заземления или незаземления специально предназначенных для этой цели контактов. В частности, контакты с 67-го по 70-й 72-контактного SIMM, будучи электрически соединены (или наоборот) с 72-м контактом, обеспечивают 4 бит информации, в которых может быть записана емкость и время доступа SIMM. Контактные площадки под нулевые резисторы для заземления можно видеть с правой стороны SIMM, если смотреть на него, расположенного горизонтально с ключом в левом нижнем углу. PRD описано в JEDEC. Тем не менее подавляющее большинство контроллеров памяти PRD не использует, соответственно, в SIMM, произведенных «безымянными» изготовителями, PRD зачастую отсутствует, что может повлечь несовместимость с системами, которым PRD требуется. Старые модели IBM (эпохи PS/2) также использовали PRD, причем нестандартное. JEDEC описывает также PRD для DIMM. В последнее время (в частности, для SDRAM DIMM) применяется SPD.

profile — форм-фактор — в наиболее общем виде — тип разъема и геометрические размеры (включая размеры ключей, выступающих частей и т.д.) модуля памяти. Некоторые системы по причинам, происходящим из геометрии, работают с модулями стандартной архитектуры, но с некоторыми ограничениями форм-фактора (см. low profile).

proprietary — термин, обратный понятию «стандартный», т.е. предназначенный для конкретной системы и только для нее.

Q

Quad-CAS — микросхема четности, предназначенная для 72-контактных SIMM и как бы объединяющая в себе 4 независимых однобитных чипа четности, доступ к каждому из которых идет по отдельной линии CAS. Как правило, речь идет о чипе организации 1х4 (сумма четырех 1х1). Выпускались, в частности, Micron. SIMM с таким чипом являются «истинными» SIMM с четностью, и их следует отличать от SIMM с «ложной четностью», имеющих то же количество чипов. В принципе, существовали и чипы Double-CAS (в частности, OKI), представлявшие собой сумму 2-х чипов.

R

Rambus DRAM — технология DRAM, разработанная компанией Rambus и позволяющая создавать память с высокой пропускной способностью (несколько сотен Mb/сек). Поскольку технология официально поддержана компанией Intel, высока вероятность того, что эта память будет основной в компьютерах будущего. Тем не менее, поскольку стандарт не является открытым, а защищен патентом и как следствие подлежит лицензированию, консорциум major-производителей ведет разработку конкурирующего стандарта SLDRAM. В настоящее время уже применяется в видеоподсистемах высокого уровня.

RAM (Random Access Memory) — память со случайным доступом

1. Любое устройство памяти, для которого время доступа по случайному адресу равняется времени доступа по последовательным адресам. В этом смысле термин практически утратил свое значение, так как современные технологии RAM используют методы оптимизации последовательного доступа, но в прошлом это действительно было критерием для отличения устройств, предназначенных для оперативного хранения небольших объемов данных (в русской традиции — оперативное запоминающее устройство, ОЗУ) от устройств для постоянного хранения больших массивов (постоянное или программное ЗУ, ПЗУ). Сейчас очевидно, что реальным критерием является энергозависимость.
2. = volatile RAM = ОЗУ (см. выше) — устройство памяти, предназначенное для оперативного хранения данных, необходимых для работы компьютера. Фактически разделяется на SRAM и DRAM.
3. = system memory

RAS (Row Access Strobe) — регистр обращения к строке. Сигнал, поданный на линию RAS чипа, означает, что через адресные линии вводится адрес строки.

RDRAM = Rambus DRAM

ROM (Read-Only Memory) — память без перезаписи — вообще говоря, любое запоминающее устройство, перезапись информации на котором невозможна в принципе. В настоящее время термин самостоятельной ценности не имеет, применяясь иногда в аббревиатурах (CD-ROM), в том числе и для описания устройств, допускающих перезапись, хотя в основном предназначенных для чтения (EEPROM).

refresh — подзарядка. Как известно, состоянием ячейки памяти DRAM является наличие/отсутствие заряда на конденсаторе. Этот заряд подвержен утечке, поэтому для сохранения данных конденсатор необходимо время от времени подзаряжать. Это достигается подачей на него время от времени напряжения (несложная диодная конструкция обеспечивает refresh только тех конденсаторов, на которых уже есть заряд). Нормальный цикл подзарядки происходит при фиксации адреса столбца и циклическом изменении адреса строки. Поэтому вообще говоря чип с меньшим количеством строк подзаряжается быстрее.
*** Часто встречаются упоминания о чипах, скажем 2k refresh, 4k refresh и т.п. Число nk здесь означает «длину строки», т.е. количество столбцов. История здесь следующая. Нормальное количество столбцов (как и строк) для чипа организации 4х4 (16-мегабитный чип с адресным пространством 4Mb, именно такие чипы используются для SIMM 16 и 32MB) равняется 2k (квадратный корень из 4M как размера квадратной матрицы). Однако с целью повышения быстродействия путем уменьшения времени refresh были разработаны чипы с «неквадратной» адресной матрицей, имевшие 1к строк и соответственно 4к столбцов (4к refresh, см. выше). К сожалению, стандартные контроллеры памяти PC того времени (к Mac, например, это не относилось) оказались не способны работать с такими чипами, кроме того, на их основе практически невозможно было создать память с четностью (из-за «квадратности» чипов четности). В результате словосочетание 4k refresh приобрело в массовом сознании абсолютно ругательный смысл (в частности, насколько мне известно, большинство Pentium-контроллеров прекрасно способны были работать с чипами 4k, но рынок отказывался их потреблять). Появление DIMM, которые использовали четность не «в манере» SIMM с четностью, а просто как дополнительные 8 бит, сняло ограничения, и сечас чипы 16Mb 4×4 4k refresh активно применяются.

registered — аналог понятию buffered для SDRAM DIMM, пока еще не нашло широкого употребления.

remark — перемаркировка

1. Вообще говоря, любое изменение уже нанесенной на чип маркировки. Как правило, выполняется изготовителем в том случае, когда уже промаркированная партия чипов показала несоответствующие маркировке (возможно, и более высокие) результаты на тестах. Может выполняться в виде изменения уже указанного на чипе времени доступа (как правило, следы этого изменения хорошо видны, поскольку никто не пытается их скрыть). Такого рода партии перемаркированных чипов обычно выпускаются на рынок с сответствующими сертификатами и ничего дурного собой не представляют. Другой вариант — когда партия чипов не выдержала теста на соответствие стандартам высшего качества, однако пригодня для использования как low grade или audio RAM. В этом случае верхний слой пластика с первоначальной маркировкой снимается и наносится low grade маркировка. Такие чипы также являются полноценными (если это слово применимо к low grade).
2. К несчастью, имелись случаи (в последнее время, к счастью, реже) «злоумышленной» перемаркировки чипов, когда не соответствующая неким стандартам память выдавалась за стандартную с целью извлечения прибыли (как правило, делали это не производители). Характерным признаком такой подделки являются следы снятия верхней поверхности чипа (которые редко удается скрыть) под маркировкой известного производителя. Рекомендуется не применять модулей, собранных из таких чипов, ни в коем случае.

S

SDRAM (Synchronous DRAM) — синхронная DRAM — название синхронной памяти «первого поколения», широко применяющейся в настоящее время и имеющей пропускную способность порядка 100Mb/сек.

SDRAM clock — можно встретить указание, что те или иные чипы или модули SDRAM являются 2 clock или 4 clock. Под clock здесь понимается линия ввода сигнала таймера. Насколько можно судить, 4 clock чипы поддерживают внутричиповый interleave более высокого уровня (4-банковый?), т.е. являются вообще говоря более передовыми. Достоверной информации о совместимости этих двух типов SDRAM с разными чипсетами и реальных выигрышах в скорости пока нет.

SDRAM II — находящийся в стадии разработки SDRAM следующего поколения, который должен будет поддерживать вдвое большую (200Mb/сек) пропускную способность. Реальных шин с такой высокой частотой пока не существует.

SGRAM (Synchronous Graphic RAM) — разновидность синхронной видеопамяти.

SIMM (Single In-line Memory Module) — наиболее распространенный в течение долгого времени форм-фактор для модулей памяти. Представляет собой прямоугольную плату с контактной полосой вдоль одной из сторон, фиксируется в разъеме поворотом с помощью защелок. Контакты с двух сторон платы на деле являются одним и тем же контактом (single). Наиболее распространены 30- и 72-контактные SIMM (ширина шины 8 и 32 бит соответственно).

single-bank — однобанковый — см. dual-bank.

single-side — односторонний — см. double-side.

SIP (Single In-Line Package) — разновидность форм-фактора модулей памяти, вытеснены SIMM и в настоящее время почти не встречаются. Проще всего описать их как SIMM, у которого контакты не «наклеены» на плату, а имеют форму иголок (pin в первоначальном значении этого слова) и торчат в виде гребенки.

SLDRAM (SyncLink DRAM) — условное название высокоскоростной памяти, разрабатываемой консорциумом производителей в качестве открытого стандарта в противовес Rambus DRAM.

slot — разъем. Как правило, это название используется для разъемов, куда «вставляются» платы расширения, в том числе модули типа SIMM и DIMM. Разъемы, куда «втыкаются» ножки (чипов либо разъемов «противоположного пола»), называются socket.

SMT (Surface Mount Technology) — технология поверхностного монтажа, основной способ изготовления модулей памяти и многих других устройств на основе печатных плат. Смысл метода в том, что вместо пайки каждого контакта по отдельности все чипы «приклеиваются» на печатную плату, заранее покрытую припоем по трафарету, после чего плата прогревается в специальной печи, в результате чего припой плавится и чипы оказываются припаянными.

SO DIMM (Small Outline DIMM) — разновидность DIMM малого размера (small outline), предназначенных в первую очередь для портативных компьютеров. Наиболее часто встречаются 72- и 144-контактные модули (32 и 64 бит соответственно). Способ установки аналогичен SIMM.

SOJ (Small Outline J-shaped) — разновидность микросхем, одна из наиболее широко применяемых для упаковки DRAM. Контакты микросхемы изогнуты в форме буквы J коротким концом под микросхему.

SPD (Serial Presence Detect)- разновидность PRD у 168-контактных DIMM (как правило, небуферизованных). Выполнена не в виде набора резисторов на контактных площадках, а в виде единой микросхемы EPROM, причем записанная в ней информация не описана в databook производителей (и, предположительно, является предметом отдельного соглашения и включает «необычную» информацию наподобие имени производителя). Модули «безымянного» производства SPD, как правило, не имеют. По крайней мере некоторые платы на чипсете 440LX требуют от модулей наличия SPD. По разным версиям это предпринято либо для того, чтобы отсечь от рынка «безымянных» производителей, либо с целью обеспечить автоматическое определение времени доступа, что будет актуально для грядущих скоростных модулей и шин.

specific — специфический — в общем виде — модуль памяти, предназначенный для использования в конкретной системе (или классе систем) конкретного производителя. Термин несколько более мягкий, чем proprietary, так как не отрицает возможности того, что указанная система может расширяться и стандартными модулями.

speed — скорость или быстродействие — некорректный термин, может обозначать либо тактовую частоту, либо время доступа.

SRAM (Static RAM) — статическая память — разновидность RAM, единицей хранения информации в которой является состояние «открыто-закрыто» в транзисторной сборке. Используется приемущественно в качестве кэш-памяти 2-го уровня. Ячейка SRAM более сложна по сравнению с ячейкой DRAM, поэтому более высокое быстродействие SRAM компенсируется высокой ценой. Несмотря на низкое энергопотребление, является энергозависимой.

standard — стандартный — то есть соответствующий неким общеизвестным техническим спецификациям (для модулей памяти, как правило, JEDEC), и, следовательно, имеющий широкую область применения, не ограниченную конкретной системой.

static column — статический столбец. Память со статическим столбцом — выпускавшаяся некоторое время, но не получившая распространения из-за высокой цены более быстрая разновидность fast page.

synchronous — синхронный — устройство памяти, цикл обращения к которому состоит из операций, имеющих одинаковую длительность, что позволяет синхронизировать его с системным таймером для оптимального взаимодействия между устройством и шиной. Синхронные устройства являются более передовыми по отношению к асинхронным, и в настоящее время идет процесс полного перехода к ним.

system memory — оперативная память — память (в подавляющем большинстве случаев — DRAM), использующаяся для хранения активных программ и данных. Количество и быстродействие оперативной памяти оказывают чрезвычайно серьезное воздействие на быстродействие современных компьютеров. Работает на частоте системной шины. Доступ процессора к оперативной памяти происходит через кэш 2-го уровня. Некоторые подсистемы компьютера способны обращаться к оперативной памяти напрямую, минуя процессор.

T

timing diagram — временная диаграмма — количества тактов системной шины, необходимых для доступа к случайно выбранному адресу и следующим за ним адресам. Характерные диаграммы для разных типов памяти (в предположении, что они достаточно быстры, чтобы оптимально взаимодействовать с шиной) — 5-3-3-3 (fast page), 5-2-2-2 (EDO), 5-1-1-1 (SDRAM).

tin-lead — луженые контакты — разновидность покрытия контактов модуля, по непроверенным данным, с добавлением палладия. Большинство выпускаемых сейчас SIMM и разъемов для них имеют именно это покрытие.

TQFP (Thin Quad Flat Package) — разновидность микросхем плоской квадратной формы с контактами вдоль всех четырех сторон. Применяется в основном для многоконтактных чипов, в частности кэша.

TSOP (Thin Small Outline Package) — разновидность микросхем плоской формы. В настоящее время в области DRAM применяется довольно широко, особенно для упаковки низковольтных микросхем.

U

unbuffered — небуферизованный (модуль). Термин применяется к «обычным» 168-контактным DIMM, чтобы отличить их от буферизованных.

unified memory — объединенная память — технология, при которой видеоадаптеру выделяется часть системной памяти, так что нет необходимости устанавливать для него отдельную видеопамять. При всей своей экономичности и возможности программно менять количество видеопамяти технология является компромиссной, так как видеопамять должна, вообще говоря, быть более быстрой, чем «стандартная».

V

volatile — энергозависимая (память) — устройство памяти, теряющее информацию при отключении напряжения питания. К ним относятся, в частности, DRAM и SRAM.

voltage — напряжение питания. Современные чипы памяти имеют напряжение питания 3.3 или 5 вольт (последние пока еще более распространены). Как правило, напряжение питания модулей памяти предопределено конструкцией материнской платы и не может быть изменено для одного типа модулей. Плата, поддерживающая разные типы модулей (например, SIMM и DIMM), может поддерживать разное напряжение питания для каждого типа, но при этом необязательно оба сразу. Надо также отметить, что модули памяти являются одним из наиболее энергопотребляющих устройств компьютера, поэтому снижение их напряжение питания представляется естественным путем к системам с большим объемом памяти.

video RAM — видеопамять

1. вообще говоря, любая память, используемая в графической подсистеме (как правило, в качестве буфера кадров).
2. разновидность памяти, специально созданная для применения в графических подсистемах, например, VRAM, WRAM, SGRAM и т.п. Чаще всего оптимизирована по отношению к «обычной» памяти с использованием того факта, что буфер кадров по умолчанию не требует хранения уже однажды использованной информации, т.е. одновременно с чтением можно (и нужно) производить запись.
3. =VRAM

VRAM (Video RAM) — одна из первых разновидностей видеопамяти, позволяет производить чтение и запись информации за один цикл обращения.

W

WRAM (Window RAM)- разновидность видеопамяти, примененная, в частности, в видеокартах Matrox.

Z

ZIP (Zig-Zag In-Line Package) — разновидность упаковки микросхем, в частности, применявшаяся для видеопамяти. Контакты расположены вдоль одной из длинных сторон чипа в зигзагообразном порядке.

Новинки | CATRICE COSMETICS

Инновационные продукты высочайшего качества, сответствующие горячим трендам мировых подиумов. Стиль CATRICE — cлияние красоты и моды. Вдохновляясь тенденциями fashion-коллекций сезона 21, CATRICE встречает первую половину года новыми must-have’ами. Лучшее в мире красоты — от CATRICE.

ГЛАЗА

Тени для век

Подводки и карандаши для глаз

Тушь для ресниц

ГУБЫ

Губные помады

Блески для губ

Контуры для губ

ЛИЦО

Бронзеры & Скульптурирующие средства

Консилеры и корректоры

Основы и праймеры для макияжа

Румяна

Тональные основы

НОГТИ

Лаки для ногтей

Уходовые продукты для ногтей

WikiLeaks опубликовала документацию ЦРУ по заражению физически изолированных компьютеров

22 июня 2017 года сайт WikiLeaks опубликовал документы проекта ЦРУ под названием Brutal Kangaroo. Это набор инструментов под Windows, предназначенных для заражения физически изолированных компьютеров, которые отключены от интернета (air gap), с помощью флешек. Информация относительно свежая: документация программы датируется 23 февраля 2016 года.

Физическая изоляция (air gap) — одна из мер обеспечения безопасности, когда защищённая компьютерная сеть физически изолируется от небезопасных сетей и интернета. В этом случае для компьютера снаружи сети нет никакой возможности установить связь с компьютером внутри неё. Для разведывательных организаций такие системы представляют определённую проблему. Во-первых, усложняется процесс установки шпионского программного обеспечения на такие компьютеры: нужно доставить на них флешку. Во-вторых, усложняется съём информации с заражённого компьютера, если он физически изолирован.

В документации указано, что проект Brutal Kangaroo состоит из следующих компонентов:

• Drifting Deadline: инструмент заражения флешки.
• Shattered Assurance: серверный инструмент, который отслеживает процесс автоматизированного заражения флешек, также основной способ распространения набора Brutal Kangaroo. Для заражения отдельных флешек используется программа Drifting Deadline.
• Broken Promise: постпроцессор Brutal Kangaroo.
• Shadow: основной механизм присутствия. Это инструмент стадии 2, который распространяется внутри закрытой сети и работает как скрытая CnC-сеть.

Для работы Brutal Kangaroo на компьютере должен быть установлен .Net 4.5.

В программе Drifting Deadline пользователь выбирает вектор исполнения вредоносного кода с флешки: это может быть x86 и x64 DLL, которая автоматически загружается в проводнике или файл .lnk, настройка autorun.inf. Вредоносная нагрузка может внедряться напрямую в процесс explorer.exe (в 32-битных ОС) или svchost (в 64-битных) и никогда не записываться на диск. Как вариант, можно не устанавливать вектора автоматического исполнения, а оставить только исполняемый файл, который жертва должна будет запустить вручную.

На флешке затем нужно разместить три служебных файла Drifting Deadline. Пользователь выбирает, в каком формате их разместить: файлам можно присвоить произвольные названия или применить сжатый формат, когда они сжимаются в один файл с произвольным названием. В последнем случае файлы сжимаются в один криптоблоб.

Далее разведчик выбирает шпионские модули, которые будут записаны на флешку, и указывает, какую информацию в системе жертве нужно собирать и записывать на флешку. Создаётся маска для собираемых файлов. Здесь же указывается максимальный объём информации для сбора и минимальный процент свободного пространства на флешке, который должен остаться (вероятно, чтобы не вызвать подозрений). Указывается формат записи для собранной информации. Например, всё можно записывать в существующий файл (например, jpg или png) или напрямую потоком данных в NTFS, что будет скрыто от просмотра. Указывается максимальное количество запусков шпионского модуля, условия запуска (например, только при авторизации администратора в системе), процессы «чёрного списка», при которых запуск отменялся, и т. д. Все выбранные установки конфигурации сохраняются в файл XML. После этого можно осуществлять процедуру инфицирования флешки.

Brutal Kangaroo поддерживает такой режим работы: если «первичный хост» доступен через интернет, то агент ЦРУ заражает его в дистанционном режиме, а флешка уже инфицируется автоматически с этого компьютера. Предполагается, что ничего не подозревающая жертва достанет флешку — и унесёт её на физически изолированный компьютер, а затем принесёт обратно. В этом случае все собранные данные, сохранённые на флешке, будут переправлены агенту ЦРУ.

Интересно, что в документах рассматриваются некоторые проблемы, связанные с использованием шпионской программы. Например, указано, что антивирусы показывают предупреждающее сообщение, если с флешки автоматически запускается программное обеспечение, когда её вставляют в компьютер. В то же время отмечается низкий уровень распознавания антивирусами самих рабочих файлов программы.

В опубликованной подборке 11 документов, которые созданы с 2012 по 2016 года. Там же документация по предыдущим инструментам, вместо которых используется Drifting Deadline. Разработчиком инструментов указано подразделение ЦРУ Engineering Development Group. Это подразделение входит в состав управления DDI (Directorate for Digital Innovation), см. организационную диаграмму ЦРУ. Оно занимается разработкой, тестированием и сопровождением всего программного обеспечения ЦРУ. Здесь же разработали многие другие эксплойты, информацию о которых раньше публиковал WikiLeaks, в том числе эксплойт для телевизоров Samsung под названием Weeping Angel, который добавляет телевизору режим ‘Fake-Off’, когда телевизор выглядит выключенным, но в то же время записывает разговоры в комнате и отправляет их через интернет на сервер ЦРУ.

Как устроена сверточная нейронная сеть: архитектуры и параметры

Сверточная нейронная сеть основана на удивительно мощной и универсальной математической операции. В этой статье мы шаг за шагом рассмотрим механизм их работы на примере стандартной полностью рабочей сети, и изучим то, как они строят качественные визуальные иерархии.

Двумерная сверточная нейронная сеть

Двумерная свертка (2D convolution) — это довольно простая операция: начинаем с ядра, представляющего из себя матрицу весов (weight matrix). Ядро “скользит” над двумерным изображением, поэлементно выполняя операцию умножения с той частью входных данных, над которой оно сейчас находится, и затем суммирует все полученные значения в один выходной пиксель.

Ядро повторяет эту процедуру с каждой локацией, над которой оно “скользит”, преобразуя двумерную матрицу в другую все еще двумерную матрицу признаков. Признаки на выходе являются взвешенными суммами (где веса являются значениями самого ядра) признаков на входе, расположенных примерно в том же месте, что и выходной пиксель на входном слое.

Независимо от того, попадает ли входной признак в “примерно то же место”, он определяется в зависимости от того, находится он в зоне ядра, создающего выходные данные, или нет. Это значит, что

В примере, приведенном выше, мы имеем 5*5=25 признаков на входе и 3*3=9 признаков на выходе. Для стандартного слоя (standard fully connected layer) мы бы имели весовую матрицу 25*9 = 225 параметров, а каждый выходной признак являлся бы взвешенной суммой всех признаков на входе. Свертка позволяет произвести такую операцию с всего 9-ю параметрами, ведь каждый признак на выходе получается анализом не каждого признака на входе, а только одного входного, находящегося в “примерно том же месте”. Обратите на это внимание, так как это будет иметь важное значение для дальнейшего обсуждения.

Часто используемые техники

Перед тем как мы двинемся дальше, безусловно стоит взглянуть на две техники, которые часто применяются в сверточных нейронных сетях: Padding и Striding.

Padding. Если вы наблюдаете анимацию, обратите внимание на то, что в процессе скольжения края по существу обрезаются, преобразуя матрицу признаков размером 5*5 в матрицу 3*3. Крайние пиксели никогда не оказываются в центре ядра, потому что тогда ядру не над чем будет скользить за краем. Это совсем не идеальный вариант, так как мы хотим, чтобы размер на выходе равнялся входному.

Padding добавляет к краям поддельные (fake) пиксели (обычно нулевого значения, вследствие этого к ним применяется термин “нулевое дополнение” — “zero padding”). Таким образом, ядро при проскальзывании позволяет неподдельным пикселям оказываться в своем центре, а затем распространяется на поддельные пиксели за пределами края, создавая выходную матрицу того же размера, что и входная.

Striding. Часто бывает, что при работе со сверточным слоем, нужно получить выходные данные меньшего размера, чем входные. Это обычно необходимо в сверточных нейронных сетях, где размер пространственных размеров уменьшается при увеличении количества каналов. Один из способов достижения этого — использование субдискритизирующих слоев (pooling layer), например, принимать среднее/максимальное значение каждой ветки размером 2*2, чтобы уменьшить все пространственные размеры в два раза. Еще один способ добиться этого — использовать stride (шаг).

Идея stride заключается в том, чтобы пропустить некоторые области, над которыми скользит ядро. Шаг 1 означает, что берутся пролеты через пиксель, то есть по факту каждый пролет является стандартной сверткой. Шаг 2 означает, что пролеты совершаются через каждые два пикселя, пропуская все другие пролеты в процессе и уменьшая их количество примерно в 2 раза, шаг 3 означает пропуск 3-х пикселей, сокращая количество в 3 раза и т.д.

Более современные сети, такие как архитектуры ResNet, полностью отказываются от субдискритизирующих слоев во внутренних слоях в пользу чередующихся сверток, когда необходимо уменьшить размер на выходе.

Многоканальная версия сверточной нейронной сети

Приведенные выше диаграммы касаются только случая, когда изображение имеет один входной канал. На практике большинство входных изображений имеют 3 канала, и чем глубже вы в сети, тем больше это число.

Вот где ключевые различия между терминами становятся нужными: тогда как в случае с 1 каналом термины «фильтр» и «ядро» взаимозаменяемы, в общем случае они разные.

Каждый фильтр на самом деле представляет собой коллекцию ядер, причем для каждого отдельного входного канала этого слоя есть одно ядро, и каждое ядро уникально.

Каждый фильтр в сверточном слое создает только один выходной канал и делают они это так: каждое из ядер фильтра «скользит» по их соответствующим входным каналам, создавая обработанную версию каждого из них. Некоторые ядра могут иметь больший вес, чем другие, для того чтобы уделять больше внимания определенным входным каналам (например, фильтр может задать красному каналу ядра больший вес, чем другим каналам, и, следовательно, больше реагировать на различия в образах из красного канала).

Затем каждая из обработанных в канале версий суммируется вместе для формирования одного канала. Ядра каждого фильтра генерируют одну версию каждого канала, а фильтр в целом создает один общий выходной канал:

Наконец, каждый выходной файл имеет свое смещение. Смещение добавляется к выходному каналу для создания конечного выходного канала:

Результат для любого количества фильтров идентичен: каждый фильтр обрабатывает вход со своим отличающимся от других набором ядер и скалярным смещением по описанному выше процессу, создавая один выходной канал. Затем они объединяются вместе для получения общего выхода, причем количество выходных каналов равно числу фильтров. При этом обычно применяется нелинейность перед передачей входа другому слою свертки, который затем повторяет этот процесс.

Параметры в сверточной нейронной сети

Свертка — это по-прежнему линейное преобразование

Даже с уже описанной механикой работы сверточного слоя, все еще сложно связать это с нейронной сетью прямого распространения (feed-forward network), и это все еще не объясняет, почему свертки масштабируются и работают намного лучше с изображениями.

Предположим, что у нас есть вход 4*4, и мы хотим преобразовать его в сетку 2*2. Если бы мы использовали feed-forward network, мы бы переделали вход 4*4 в вектор длиной 16 и передали его через полносвязный слой с 16 входами и 4 выходами. Можно было бы визуализировать весовую матрицу W для слоя по типу:

И хотя сверточные операции с ядрами могут вначале показаться немного странными, это по-прежнему линейные преобразования с эквивалентной матрицей перехода.

Если мы использовали ядро K размера 3 на видоизмененным входом размера 4*4, чтобы получить выход 2*2, эквивалентная матрица перехода будет выглядеть так:

Свертка, в целом, все еще является линейным преобразованием, но в то же время она также представляет собой совершенно иной вид преобразования. Для матрицы с 64 элементами существует всего 9 параметров, которые повторно используются несколько раз. Каждый выходной узел получает только определенное количество входов (те, что находятся внутри ядра). Нет никакого взаимодействия с другими входами, так как вес для них равен 0.

Полезно представлять сверточные операции как hard prior для весовых матриц. В данном контексте, под prior я подразумеваю предопределенные параметры сети. Например, когда вы используете предварительно обработанную модель для классификации изображений, вы используете предварительные параметры сети как prior как экстрактор образов для вашего окончательного полносвязного слоя.

Transfer learning эффективнее на порядок по сравнению со случайной инициализацией, потому что вам только нужно оптимизировать параметры конечного полностью связанного слоя, а это означает, что вы можете иметь фантастическую производительность всего лишь с несколькими десятками изображений в классе.

Вам не нужно оптимизировать все 64 параметра, потому большинство из них установлено на ноль (и они останутся такими), а остальные мы преобразуем в общие параметры и в результате получим только 9 параметров для оптимизации. Эта эффективность имеет значение, потому что, когда вы переходите от 784 входов MNIST к реальным изображениям 224*224*3, это более 150 000 входов. Слой, пытающийся вдвое уменьшить вход до 75 000 входных значений, по-прежнему потребует более 10 миллиардов параметров. Для сравнения, ResNet-50 имеет около 25 миллионов параметров.

Таким образом, фиксирование некоторых параметров равными нулю и их связывание повышает эффективность, но в отличие от случая с transfer learning, где мы знаем, что prior работает грамотно, потому что он хорошо работает с большим общим набором изображений, откуда мы знаем, что это будет работать хоть сколько-то хорошо в нашем случае?

Ответ заключается в комбинациях образов, изучаемых параметрами за счет prior.

Локальные особенности

Итак:

• Ядра объединяют пиксели только из небольшой локальной области для формирования выхода. То есть выходные признаки видят только входные признаки из небольшой локальной области;
• Ядро применяется глобально по всему изображению для создания матрицы выходных значений.

Таким образом, с backpropagation (метод обратного распространения ошибки), идущим во всех направлениях от узлов классификации сети, ядра имеют интересную задачу изучения весов для создания признаков только из локального набора входов. Кроме того, поскольку само ядро применяется по всему изображению, признаки, которые изучает ядро, должны быть достаточно общими, чтобы поступать из любой части изображения.  

Если это были какие-то другие данные, например, данные об установках приложений по категориям, то это стало бы катастрофой, потому что количество столбцов установки приложений и типов приложений рядом друг с другом не означает, что у них есть «локальные общие признаки», общие с датами установки приложений и временем использования. Конечно, у нескольких могут быть основные признаки более высокого уровня, которые могут быть найдены, но это не дает нам никаких оснований полагать, что параметры для первых двух точно такие же, как параметры для последних двух. Эти несколько могли быть в любом (последовательном) порядке и по-прежнему оставаться подходящими!

Пиксели, однако, всегда отображаются в последовательном порядке, а соседние пиксели влияют на пиксель рядом, например, если все соседние пиксели красные, довольно вероятно, что пиксель рядом также красный. Если есть отклонения, это интересная аномалия, которая может быть преобразована в признак, и все это можно обнаружить при сравнении пикселя со своими соседями, с другими пикселями в своей местности.

Эта идея — то, на чем были основаны более ранние методы извлечения признаков компьютерным зрением. Например, для обнаружения граней можно использовать фильтр обнаружения граней Sobel — ядро с фиксированными параметрами, действующее точно так же, как стандартная одноканальная свертка:

Для сетки, не содержащей граней (например, неба на заднем фоне), большинство пикселей имеют одинаковое значение, поэтому общий вывод ядра в этой точке равен 0. Для сетки с вертикальными гранями существует разница между пикселями слева и справа от грани, и ядро вычисляет эту ненулевую разницу, находя ребра. Ядро за раз работает только с сетками 3*3, обнаруживая аномалии в определенных местах, но применения ко всему изображению достаточно для обнаружения определенного признака в любом месте изображения!

Но могут ли полезные ядра быть изучены? Для ранних слоев, работающих с необработанными пикселями, мы могли бы ожидать детекторы признаков низкого уровня, таких как ребра, линии и т.д.

Существует целое направление исследований глубокого обучения, ориентированная на то, чтобы сделать модели нейронных сетей интерпретируемыми. Один из самых мощных инструментов для этого — визуализация признаков с помощью оптимизации. Идея в корне проста: оптимизируйте изображение (обычно инициализированное случайным шумом), чтобы активировать фильтр как можно сильнее. Такой способ интуитивно понятен: если оптимизированное изображение полностью заполнено гранями, то это убедительное доказательство того, что фильтр активирован и занят поиском. Используя это, мы можем заглянуть в изученные фильтры, и результаты будут ошеломляющими:

Важно обратить внимание на то, что конвертированные изображения остаются изображениями. Выход, получаемый от небольшой сетки пикселей в верхнем левом углу, будет тоже расположен в верхнем левом углу. Таким образом, можно применять один слой поверх другого (как два слева на картинке) для извлечения более грубоких признаков, которые мы визуализируем.

Тем не менее, как бы глубоки ни заходили наши детекторы признаков, без каких-либо дальнейших изменений они все равно будут работать на очень маленьких участках изображения. Независимо от того, насколько глубоки ваши детекторы, вы не сможете обнаружить лица в сетке 3*3. И вот здесь возникает идея рецептивного поля (receptive field).

Рецептивные поля

Существенной особенностью архитектур сверточной нейронной сети является то, что размеры ввода становятся все меньше и меньше от начала до конца сети, а количество каналов становится больше. Это, как упоминалось ранее, часто делается с помощью strides или pooling layers. Местность определяет, какие входные данные из предыдущего уровня будут на выходе следующего. Receptive field определяет, какую область исходного входа получает выход.

Идея strided convolution состоит в том, что мы обрабатываем пролеты только на фиксированном расстоянии друг от друга и пропускаем те что посередине. С другой точки зрения, мы оставляем только выходы на определенном расстоянии друг от друга, удаляя остальные.

Затем мы применяем нелинейность к выходном данным, затем накладываем еще один новый слой свертки сверху. Здесь все становится интересным. Даже если бы мы применили ядро того же размера (3*3), имеющее одну и ту же локальную область, к выходу strided convolution, ядро имело бы более эффективное receptive field.

Это связано с тем, что выход strided слоя по-прежнему представляет из себя одно и то же изображение. Это не столько обрезка, сколько изменение размера, только теперь каждый отдельный пиксель на выходе является «представителем» большей площади (другие пиксели которой были отброшены) из того же местоположения исходного ввода. Поэтому, когда ядро следующего слоя применяется к выходу, оно работает с пикселями, собранными из большей области.

Примечание: если вы знакомы с расширенными свертками, обратите внимание, что вышеупомянутое ею не является. Оба являются методами увеличения receptive field, но расширенные свертки представляют собой один слой, тогда как у нас все происходит на регулярной свертке совместно с пошаговой сверткой и нелинейностью между ними.

Такое расширение восприимчивого поля позволяет слоям свертки сочетать признаки низкого уровня (линии, ребра) с признаками более высокого уровня (кривые, текстуры), как мы видим в слое mixed3a.

Вслед за слоем pooling/striding сеть продолжает создавать детекторы для еще более высокоуровневых признаков (частей, шаблонов), как мы видим на mixed4a.

Повторное уменьшение размера изображения к 5-му блоку сверток дает размеры ввода всего 7*7, по сравнению с входами 224*224. В этот момент каждый отдельный пиксель представляет собой огромную сетку размером 32*32 пикселя.

Если на более ранних слоях активация обнаруживала грани, то здесь активация на сетке 7*7 нужна для выявления более сложных образов, например, птиц.

Сеть в целом развивается из небольшого количества фильтров (64 в случае GoogLeNet), обнаруживая функции низкого уровня, до очень большого количества фильтров (1024 в окончательной свертке), каждый из которых ищет чрезвычайно специфические признаки высокого уровня. И далее применяется окончательный слой — pooling layer, который сворачивает каждую сетку 7*7 в один пиксель, каждый канал является детектором признаков с receptive field, эквивалентным всему изображению.

По сравнению с тем, что сделала бы стандартная feedforward сеть, вывод здесь не впечатляет. Стандартная feedforward сеть создала бы абстрактные векторы признаков из комбинации всех пикселей в изображении, требуя труднообучаемых объемов данных.

Сверточная нейронная сеть с наложенными на нее priors, начинает обучение с изучения детекторов признаков низкого уровня, и когда слой за слоем ее receptive field становится все больше, учится комбинировать эти низкоуровневые признаки в признаки более высокого уровня; не абстрактное сочетание каждого пикселя, а сильная визуальная иерархия.

Обнаруживая низкоуровневые признаки и используя их для обнаружения признаков более высокого уровня по мере улучшения своей визуальной иерархии, она в конечном итоге может обнаруживать целые визуальные концепции, такие как лица, птицы, деревья и т.д, именно это делает их такими мощными и эффективными для изображений.

Проблема adversarial attacks

С созданием визуальной иерархии сверточной нейронной сети вполне разумно предположить, что их системы видения похожи на человеческую. И они действительно великолепно справляются с изображениями реального мира, но они терпят неудачу там, где их система не совсем такая как у человека. Самая главная проблема: Adversarial Examples, примеры, которые были специально изменены, чтобы обмануть модель.

Проблема в том, что модели восприимчивы к образцам, которые были подделаны слегка и явно не смогут обмануть человека. Это открывает двери для отказов у моделей, что опасно, например, для самоуправляемых автомобилей и задач здравоохранения.

Задача защиты от таких отказов сейчас является активной областью исследования, предметом статей и конкурсов. Решение несомненно улучшит архитектуру сверточной нейронной сети, сделает ее надежнее и безопаснее.

Сверточные нейронные сети позволяют компьютерному зрению работать как с простыми задачами, так и со сложными продуктами и услугами, начиная от распознавания лиц и заканчивая улучшением медицинских диагнозов. Они могут быть ключевым методом в компьютерном зрении в будущем, хотя новый прорыв может быть уже за углом. Одно можно сказать наверняка: сверточные нейросети — удивительная основа многих современных инновационных приложений, и, безусловно, заслуживают глубокого изучения.

Как установить ограничение громкости на вашем Android

Android-телефоны имеют свои плюсы. И, как и все другие смартфоны, они постоянно развиваются. В связи с такой эволюцией может быть трудно идти в ногу с новейшими и передовыми способами принятия мер, чтобы максимально использовать возможности устройства.

Ниже следуйте пошаговым инструкциям по установке ограничения громкости на Android. Это быстро, просто, и у вас на одну вещь меньше для Google. (Примечание: эти инструкции относятся к последней версии ОС Android Pie 9.0.)

Как установить ограничение громкости на вашем Android

3 шага к настройке ограничения громкости Android

Как и большинство других смартфонов, Android может иметь разную громкость для разных уведомлений. В любой день вы можете получать оповещения о звонках, электронных письмах, уведомлениях в социальных сетях, текстовых сообщениях и многом другом. Поскольку звуки настолько распространены в этих устройствах, важно установить максимальную громкость. В конце концов, вы же не хотите пугать своих питомцев или выпрыгивать из кожи каждый раз, когда звонит ваш телефон!

1. Сначала перейдите в Настройки .Вы можете сделать это, проведя по панели уведомлений сверху вниз и нажав соответствующий значок или вручную найдя приложение в своем ящике.
2. В настройках нажмите Звук> Громкость. Быстро и просто!
3. В этом модуле вы заметите, что для разных функций телефона предусмотрены разные регуляторы громкости. Есть ползунков, для ряда пунктов: мультимедиа, звонок, звонок и другие будильники. Каждой из этих категорий разрешено иметь отдельный и настраиваемый предел объема.

Если вы хотите быстро изменить громкость того, что слушаете, вы можете сделать это прямо с экрана блокировки. Просто нажмите кнопку громкости и отрегулируйте появившийся ползунок.

Эти регуляторы громкости могут показаться не такими уж большими, но это хорошая функция, позволяющая устанавливать максимальные значения для разных категорий. Например, человеку, которому трудно встать по утрам, может понадобиться очень громкий будильник.Но им все же может потребоваться меньшая громкость текстовых уведомлений в течение дня. Выполните следующие действия, чтобы настроить громкость по своему усмотрению и максимально эффективно использовать свое устройство Android.

Лучшие приложения для увеличения громкости и звука для вашего Android

Android отлично подходит для просмотра фильмов и телепередач, а также для прослушивания музыки и подкастов. Но есть одна проблема — многие телефоны Android недостаточно громкие.

Так что ты можешь сделать? В этом кратком руководстве мы покажем вам лучшие приложения для увеличения громкости и другие инструменты для улучшения звука на вашем устройстве Android.

Приложения Android Volume Booster: будьте осторожны!

Если вы хотите найти лучшее приложение для увеличения громкости для Android, очевидное место для начала — поиск в Play Store. Это дает десятки результатов, состоящих из приложений с одинаковыми названиями, отличными рейтингами и огромным количеством загрузок.

Но вот проблема: мы изо всех сил пытались заставить их работать.

Конечно, ваш пробег может отличаться.Возможно, определенные приложения действительно работают на определенных устройствах. Но мы все равно неохотно будем их рекомендовать.

«Усилители громкости» кажутся категорией, которая привлекает много спама или нежелательных приложений. Все протестированные нами бесплатные были перегружены навязчивой рекламой.

У некоторых была реклама, которая появлялась после каждого нажатия на интерфейс. У других была реклама, которая всплывала поверх других приложений, которые мы использовали. Пара даже показывала полноэкранные видеоролики со звуком.Это последнее, что вам нужно, когда вы увеличили громкость до максимума.

Давайте сосредоточимся на действительно работающих приложениях.

1. Эквалайзер

Эквалайзеры, как правило, являются лучшим вариантом для улучшения качества звука. Они делают ваш телефон громче, и вы можете использовать ползунки частоты, чтобы приручить любое искажение, которое может появиться как побочный эффект. Эквалайзер с простым названием очень удобен и прост в использовании.

С помощью эквалайзера вы можете выбрать один из 11 предустановленных звуковых профилей. Если вы перейдете на платную версию, вы также сможете создать свою собственную. Нажмите кнопку Power в правом верхнем углу, чтобы активировать усилитель звука Sound Amplifier . Вы также можете использовать Bass Boost здесь — это здорово, если у вас есть качественные наушники, хотя это может выявить ограничения динамиков вашего телефона.

Загрузить: Эквалайзер (доступна бесплатная, премиум-версия)

2.Эквалайзер FX

Это приложение аналогично эквалайзеру с одним существенным отличием: оно работает с Google Play Music. Многие сторонние аудиоприложения не работают с потоковыми сервисами или, по крайней мере, работают только в качестве платных дополнительных услуг. С FX такой проблемы нет; он работает автоматически как стандартно, так и бесплатно.

На вкладке Effects есть параметры Bass Boost и Loudness Enhancer , которые помогут улучшить громкость динамиков вашего телефона.

Скачать: Equalizer FX (бесплатно)

3. Точный объем

Precise Volume — это комплексное приложение для томов, в котором каждый найдет что-то для себя. Есть эквалайзер с функцией усилителя звука. Вы также получаете предустановки, которые активируются, когда вы вставляете наушники, и вы можете устанавливать индивидуальные уровни громкости для различных приложений.

Наша любимая функция — это тезка приложения.Он заменяет стандартный 15-ступенчатый регулятор громкости Android на 100-ступенчатый. Это дает лучший контроль над тем, насколько громким вы хотите, чтобы ваш телефон был.

Загрузить: Precise Volume (доступна бесплатная, премиум-версия)

4. VLC для Android

Если ваши проблемы с низкой громкостью ограничиваются музыкой и фильмами, установка VLC — быстрое решение.

Популярный медиаплеер позволяет повысить звук на 200 процентов, хотя найти его довольно сложно.Во-первых, вам может потребоваться перейти в Preferences> Video> Audio-boost , чтобы включить увеличение громкости.

Теперь, когда вы начинаете воспроизведение мультимедиа, нажмите кнопку Settings и выберите значок Equalizer . Вам будет предложено сохранить новую предустановку Equalizer , хотя делать это необязательно.

В следующем диалоговом окне найдите горизонтальный ползунок вверху и перетащите его вправо, чтобы увеличить уровень звука.При выходе у вас есть возможность снова сохранить изменения.

В отличие от настольных компьютеров, VLC на Android отлично подходит как для музыки, так и для фильмов. Если вы храните много контента локально на своем устройстве, это может быть для вас хорошим решением.

Скачать: VLC для Android (бесплатно)

5. MX Player

Только для видео MX Player также может увеличить звук ваших фильмов на 200 процентов по сравнению с уровнем, который обычно позволяет ваш телефон.Этим легко пользоваться, благодаря элементам управления на основе жестов, хотя вам нужно сначала настроить его.

Перейдите в Настройки> Аудио и установите флажок Увеличение громкости . Затем перейдите в Настройки > Декодер и установите флажок HW + декодер (локальный) .

Теперь начните воспроизведение видео. Проведите пальцем вверх по экрану, чтобы увеличить громкость. Значение 15 переводит вас на максимальный уровень громкости вашего телефона.Продолжайте смахивать, и вы можете увеличить его еще на 15 пунктов. Громкость вернется в норму после выхода из приложения.

Скачать: MX Player (бесплатно)

6. Podcast Addict

Подкасты могут быть особой проблемой даже на телефонах с приличными динамиками. Многие из них записаны не профессионально, поэтому у них невысокое качество звука и они часто тише, чем хотелось бы.

У многих лучших приложений для подкастов есть варианты, которые могут помочь.Мы рекомендуем Podcast Addict, потому что он не только имеет настройку увеличения громкости, но также имеет встроенный эквалайзер. Это позволяет настроить звук в ваших любимых подкастах, чтобы подчеркнуть голоса и приглушить музыку или шум аудитории.

Это может быть более эффективно, чем просто сделать всю запись громче.

Скачать: Podcast Addict (бесплатно)

7. Viper4Android

Гораздо проще увеличить громкость, если вы рутировали свой телефон или планшет Android.Он открывает вам возможность использовать такие приложения, как Viper4Android, потрясающий (и невероятно мощный) аудиоинструмент.

В Play Store есть неофициальная версия Viper4Android для устройств без полномочий root. Но для достижения наилучших результатов установите его либо как корневое приложение, либо через Xposed Framework, либо как один из лучших модулей Magisk.

После установки вы можете активировать режим eXtra Loud , который работает с уровнями силы Slight до Extreme .Вы также можете использовать инструмент Speaker Optimization , чтобы получить максимально возможное качество звука из встроенных динамиков вашего телефона.

Еще лучше, вам не нужно соглашаться на универсальный подход. Вы также можете использовать различные настройки для увеличения громкости в наушниках или динамиках Bluetooth.

Скачать: Viper4Android (бесплатно)

Другие способы увеличить громкость Android

Если вас все еще не устраивает, насколько громкими могут быть динамики вашего телефона, есть другие способы настроить громкость на Android.

Во-первых, убедитесь, что вы знаете, где находятся динамики, и держите их в стороне. В большинстве чехлов для телефонов есть небольшие вырезы для динамиков, которые со временем легко забиваются пылью.

Несколько акустических приемов могут творить чудеса. Поместите телефон в большой стакан, чтобы усилить звук. Если у вас нет одного из них под рукой, попробуйте положить телефон рядом с твердой поверхностью, чтобы вместо этого отклонить его в своем направлении.

Кроме того, если у вашего телефона есть динамик по нижнему краю, обхватите его рукой, чтобы направить звук на себя.

Наконец, помните, что динамики смартфона естественно ограничены. Практически любой внешний динамик, даже небольшой, будет лучше, чем встроенный. Ознакомьтесь с нашим руководством по лучшим дешевым Bluetooth-динамикам, чтобы найти свою идеальную пару.

При таком большом количестве приложений для обмена сообщениями может быть сложно отслеживать все свои сообщения.Вот шесть лучших универсальных платформ, которые вы можете использовать.

Читать далее

Энди — бывший печатный журналист и редактор журнала, который пишет о технологиях уже 15 лет.За это время он внес вклад в бесчисленное количество публикаций и написал работы по копирайтингу для крупных технологических компаний. Он также предоставил экспертные комментарии для средств массовой информации и организовал панели на отраслевых мероприятиях.

Подпишитесь на нашу рассылку новостей

Подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать технические советы, обзоры, бесплатные электронные книги и эксклюзивные предложения!

Нажмите здесь, чтобы подписаться

Часто задаваемые вопросы по звуку и слуху — Apple

Ниже приведены ответы на некоторые распространенные вопросы о персональной настройке ограничения громкости при прослушивании музыки.

В. Для чего используется регулировка ограничения громкости?

A. Регулировка ограничения громкости позволяет вам изменять максимальный уровень громкости, на котором вы можете слушать музыку или другой звук.

В. Как изменить предел громкости?

A. На iPod nano, iPod classic, iPod touch, iPad или iPhone вы можете отрегулировать максимальную громкость, зайдя в меню « Настройки» . На iPod shuffle отрегулируйте громкость до желаемого максимального уровня. Подключите iPod shuffle к iTunes и выберите «Ограничить максимальную громкость».Перетащите ползунок на желаемую максимальную громкость. Дополнительную информацию о том, как установить ограничение громкости, см. В Руководстве пользователя.

В. На каком уровне мне следует установить ограничение громкости на моем устройстве?

A. Не существует единой настройки, которую можно было бы рекомендовать для всех пользователей или пользователей. У вас может быть разный уровень звука с разными наушниками или наушниками и с разными настройками эквалайзера. Некоторые эксперты по слуху советуют устанавливать громкость в тихой обстановке, уменьшать громкость, если вы не слышите людей, говорящих рядом с вами, не увеличивайте громкость, чтобы заглушить шумную обстановку, и ограничивать время, которое вы используете. вкладыши или наушники на большой громкости.

В. Как я могу установить предел громкости на определенный уровень децибел?

A. Параметр «Предел громкости» позволяет изменять максимальную выходную громкость наушников-вкладышей или наушников. Фактический уровень звукового давления, который вы испытываете, зависит от нескольких факторов: музыки, которую вы слушаете, способа ее записи и кодирования, типа наушников-вкладышей или наушников, которые вы используете, и их расположения в ушах.

В. Влияет ли ограничение громкости на аксессуары для прослушивания?

А.Ограничение громкости влияет на наушники, наушники и некоторые другие аксессуары, которые подключены к разъему для наушников, разъему освещения или с помощью соединения Bluetooth.

Как сделать AirPods громче

В этой статье рассматриваются девять способов устранения и устранения проблем с громкостью AirPods.

Эти шаги по устранению неполадок AirPod в основном быстрые и простые. Попробуйте каждый из них и посмотрите, решит ли он ваши проблемы со звуком. Если нет, переходите к следующему потенциальному решению.

Уменьшение громкости для молодых ушей

Q. Я беспокоюсь о том, что мои дети слышат музыку из наушников в своих телефонах на большой громкости.Есть ли способ убавить универсальную громкость?

A. В зависимости от устройства у вас могут быть встроенные элементы управления для ограничения громкости, или вам может потребоваться найти приложение, которое вам нравится. При любом подходе вы можете переопределить и понизить максимальный уровень звука телефона по умолчанию и уменьшить его, скажем, до 75 или 80 процентов от того, что телефон действительно может воспроизводить.

Операционная система Android от Google (которая часто предупреждает пользователей о слишком высоком уровне громкости) поставляется во многих версиях для различных моделей телефонов и планшетов, поэтому элементы управления у вас будут различаться.Некоторые версии Android поставляются со своими собственными инструментами, например недавние гаджеты Samsung Galaxy S и Galaxy Note, которые включают настройку для ограничения максимальной громкости.

Чтобы использовать элементы управления Samsung, перейдите на экран приложений, откройте значок настроек и выберите «Звук и вибрация», а затем «Громкость». (Названия меню могут отличаться в зависимости от версии Android.) Здесь вы можете установить громкость по умолчанию для многих функций телефона, включая мелодию звонка, системные предупреждения и мультимедиа.Чтобы заблокировать уровни, коснитесь трехточечного меню «Дополнительные параметры» на экране и выберите «Ограничитель громкости мультимедиа». После включения этой функции вы можете установить собственный максимальный уровень громкости и защитить его с помощью PIN-кода.

Если ваша версия Android не имеет элементов управления ограничением громкости в настройках, вы можете найти приложения в магазине Google Play для блокировки уровней звука. К ним относятся ограничитель объема (Limit & Lock) и Limit Volume.

Apple включает элементы управления ограничением громкости в свое программное обеспечение iOS.Чтобы установить уровень, откройте приложение «Настройки», выберите «Музыка» и в области «Воспроизведение» в нижней части экрана нажмите «Ограничение громкости». На следующем экране перетащите ползунок на желаемый уровень. (Вы можете запретить кому-либо изменить его обратно в области «Ограничения» в настройках iOS.) В образовательных целях на сайте Apple есть информация о звуке и его влиянии на слух.

Если вы предпочитаете аппаратное решение, наушники с ограничением громкости — еще один способ защитить молодые уши.Wirecutter, сайт рекомендаций по продуктам, принадлежащий The New York Times, тщательно протестировал широкий выбор моделей и выбрал беспроводные наушники Puro BT2200 за 100 долларов в качестве своего лучшего выбора, а две модели, занявшие второе место, доступны по цене менее 33 долларов.

Поддельные объемы и промытые сделки на биржах: во что мы должны верить?

@ ks.shilov

Разработчик и писатель-энтузиаст блокчейн. Моя телеграмма: ksshilov

Почти 70% всего объема криптовалюты, отображаемого на CoinMarketCap, является поддельным.По крайней мере, это согласно исследованию, проведенному Alameda Research. Это огромная проблема для любого, кто пытается определить, какие криптовалюты популярны, и определить стратегию на основе рыночных данных. Хотя методология оценки может варьироваться, общий принцип остается тем же: исследователи исключают теневые биржи, которые, как правило, неверно отражают объем, и оставляют только более или менее надежные, такие как Binance или Bittrex.

Что мы имеем в виду, когда говорим о фальшивых объемах? На самом деле все сделки действительно происходят, но большинство из них просто переводят средства из правого кармана в левый; биржи, торгующие сами с собой, чтобы создать иллюзию ликвидности.Это называется промывной торговлей, и причина этого проста: никто не хочет торговать на неликвидных небольших биржах, поэтому они создают фальшивые объемы, чтобы выжить и привлечь пользователей.

Источник: https://www.forbes.com/sites/johnkoetsier/2018/12/19/report-top-crypto-exchange-bithumb-faking-up-to-94-of-trading-volume-bithumb- denies-allegations / # 72d07ae6645d

Есть даже специальный сайт, который показывает более точные данные о ежедневных объемах торговли криптовалютами. Некоторым это может немного помочь, но большинство даже не знает о таких инструментах и ​​попадает на обман: многие популярные токены, которые, по-видимому, активно торгуются, согласно CoinMarketCap, на самом деле имеют очень низкий объем. .Если вы тоже так думали, то читайте дальше. В этой статье мы увидим, что ежедневный объем торгов токенами проекта или его общая рыночная капитализация не означает, что проект все еще жив, или наоборот. Это может показаться шокирующим, но этому есть простое объяснение.

Поддельные проекты прячутся за поддельным томом

Помним ли мы хард-форк Ethereum, когда был создан Ethereum Classic? Это была экстраординарная ситуация с спорными мерами, но в конце концов результат был якобы очень простым: цепочка разветвляется, старая цепочка отбрасывается, и сообщество движется дальше.Однако внезапно некоторые люди решили, что они хотят поддерживать старую цепочку, несмотря на отсутствие разработчиков, поскольку все оригинальные разработчики Ethereum поддерживали новую форкованную версию. Результат был очевиден — никто не использует цепочку ETC, и неясно, находится ли проект еще в разработке, несмотря на то, что над ним работают три команды, никаких обновлений и технологических прорывов. Токен все еще торгуется? Конечно, он котируется на крупнейших биржах, его рыночная капитализация составляет более 876 миллионов долларов, и он по-прежнему занимает 20-е место с объемом в 727 миллионов долларов, что почти равно его капитализации! Почему это популярно? Поскольку он продается повсюду, многие люди полагают, что это надежный проект.

Другой пример — Bitcoin Cash. Он был создан так же, как Ethereum Classic — группой людей, не согласных по поводу пути развития основной цепи. Они разветвили цепочку, но с тех пор почти ничего не сделали — они только изменили размер блока, что потребовало изменения нескольких строк кода, а затем снова разветвили цепочку, создав еще две валюты: BCH и BSV. Первоначальные создатели первого форка, Bitmain, являются владельцами крупнейших пулов для майнинга биткойнов.Ходят слухи, что в 2018 году они купили много Bitcoin Cash и продали свои BTC, чтобы накачать первый и снизить цену второго. Эти слухи могут быть подтверждены отчетом об их запасах в 2018 г .; На момент написания отчета Bitmain держала около 5% всех монет в обращении, что означает, что они окончательно купили некоторые из них на рынке. Имея столько монет, они явно заинтересованы в том, чтобы убедить всех, что проект жив, но должны ли мы в это верить?

На рынке существует бесчисленное множество биткойн-форков, таких как Bitcoin Gold, которые представляют собой разрекламированные проекты, которые фактически никто не использует, такие как Tron.Затем мы можем также поговорить о Кардано; он находится в разработке много лет, но все еще далек от завершения.

Все это крупные проекты, занимающие верхние строчки в рейтинге криптовалют. Но как насчет более мелких проектов? Еще сложнее отличить хороший проект от низшего ранга, так какие критерии следует применять?

Смотрите на ядро, а не на обертку

Инвестирование в блокчейн-проекты очень похоже на венчурное инвестирование: вы должны очень тщательно выбирать и смотреть на реальный потенциал проекта, а не на временную шумиху вокруг его токена.Как мы видели ранее, рынок криптографии подвержен сильным манипуляциям, и достаточно иметь миллион долларов, чтобы иметь возможность манипулировать ценой многих токенов, перекачивая или сбрасывая их по своему желанию. Конечно, в большинстве стран манипулирование рынком является серьезным преступлением, но оно все же имеет место.

Источник: https://xkcd.com/

Таким образом, мы должны понимать, что дневной объем торговли монетой — это одна из последних вещей, на которую мы должны смотреть — ее слишком легко создать искусственно, чтобы привлекать внимание.

Например, Metaverse ETP (монета, котирующаяся только на Bitfinex) постоянно подвергается манипуляциям, оставляя ее держателям только гадать о причине накачки. Если вы посмотрите на его сабреддит, вы можете подумать, что он мертв, и не осталось активных пользователей. Между тем разработка продолжается, и они регулярно публикуют обновления. Означает ли это ценовое действие что-нибудь в конце концов, если им удастся закончить свой продукт? Нисколько.

Еще есть Lisk, проект, в который все, кажется, потеряли веру, несмотря на его блестящую идею.Блокчейн, который позволяет писать смарт-контракты на JavaScript, одном из самых популярных языков программирования в мире. Объем очень низкий — около 650 000 долларов в день, что составляет небольшую часть его общей рыночной капитализации, равной 198 миллионам долларов. Однако они продолжают разработку, недавно выпустив долгожданный SDK. Это повлияло на цену или объем? Ни на цент. Они доставят? Конечно, будут, потому что у них достаточно средств, чтобы поддерживать себя на долгие годы. Эффективность их токена не имеет значения до завершения проекта.

Как вы думаете, вы их все слышали? Проверьте это: Max Crowdfund — блокчейн-платформа для управления недвижимостью. Он начал разработку в 2018 году, когда он собрал средства через посевной раунд и первую фазу предложения токенов MPG, и у него уже более 70000 пользователей. У них очень сильная команда из Jelurida, компании, разрабатывающей Ardor, и у них уже есть рабочая платформа — International Property Crowdfunding Platform на блокчейне. У них также есть реальные операции и оборот, но в то же время их токен имеет почти нулевой объем, потому что они не позволяют кому-либо создавать поддельный объем на своем токене.В обращении находится лишь небольшое количество токенов MPG, и кажется, что большинство держателей не хотят их продавать. Вот почему, опять же, важно смотреть на потенциал проекта, его команду и компанию, стоящую за ним (если она вообще есть), а не на рыночные показатели.

Источник: https://coinpaprika.com/coin/mpg-max-property-group/

Заключение

Рынок криптографии может быть довольно теневым. Как и на любом развивающемся рынке, на нем до сих пор нет четко определенных правил.Все проекты, как большие, так и маленькие, устанавливают свои собственные правила и следуют (или не следуют) им по своему желанию. Чтобы путешествовать по этому Дикому Западу, не теряя с трудом заработанных денег, каждый инвестор должен установить свои собственные правила. Одно из этих правил должно быть: «Никогда не смотрите на раскрученные проекты». Неважно, должны быть основы — сильная команда, четкое видение и продукт, как у Max Crowdfund, или сильная идея, как Lisk.

Рынок оценил Amazon через 10 лет после пузыря доткомов.В криптовалюте время течет быстрее, а рыночные циклы короче, поэтому вскоре мы можем увидеть новый альткойн. Сможете угадать, какие проекты будут в числе лидеров? Только те, которые приносят реальную пользу своим клиентам и дают им уникальный опыт. В предыдущие альтернативные сезоны мы видели много бесполезного, но теперь пришло время реальных проектов.

Похожие истории

Теги